机译:(100)Cd \(_ {0.96} \)Zn \(_)上的分子束外延生长和本征和外在掺杂(100)Hg \(_ {0.8} \)Cd \(_ {0.2} \)Te的评估{0.04} \)Te
机译:铟掺杂Hg_0.8Cd_0.2Te / Cd_0.96Zn_0.04Te异质结构的结构,电学和光学性质研究
机译:汞在Cd↓(0.96)Zn↓(0.04)Te(211)B衬底上生长的HgTe / CdTe超晶格中Hg的分子扩散外延行为
机译:汞在Cd_0.96Zn_0.04Te(211)B衬底上生长的HgTe / CdTe超晶格中Hg的分子扩散外延行为
机译:MgZnCdSe在(100)InP衬底上的分子束外延生长
机译:单晶MgxCd1-xTe / MgyCd1-yTe(x的分子束外延生长
机译:烧结温度对Ce0.8Sm0.05Ca0.15O2-δ(SCDC)-La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ(LSCF)异质团粒电化学性能的影响
机译:(100)Hg (_ {0.8} )Cd (_ {0.2} )Te在Cd (_ {0.96} )Zn (_ {0.04} )Te上的分子束外延生长
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的mBE(分子束外延)生长表征和电子器件加工:季度报告,1987年6月15日